STD100N10LF7AG

作为ST意法半导体STripFET F7系列中的一员，STD100N10LF7AG是一款采用先进沟槽栅极技术的N沟道功率MOSFET。其核心架构基于优化的单元设计，旨在实现极低的导通电阻与栅极电荷，从而在开关应用中显著降低传导损耗和开关损耗。该器件符合AEC-Q101标准，专为满足汽车电子应用的严苛可靠性要求而设计，尽管其零件状态已标注为停产，但其技术规格仍代表了该系列在特定性能维度上的典型设计。

该MOSFET在100V的漏源电压下，能够支持高达80A的连续漏极电流，展现出强大的电流处理能力。其关键性能指标在于极低的导通电阻，在10V栅极驱动电压、40A漏极电流条件下，Rds(On)最大值仅为9毫欧，这直接转化为更低的功率耗散和更高的系统效率。同时，其栅极阈值电压Vgs(th)最大值为2.5V，结合最大±20V的栅源电压范围，提供了良好的噪声容限和驱动兼容性。其栅极电荷Qg在10V条件下最大值为73nC，配合4000pF的输入电容，意味着它能够实现快速的开关切换，减少开关过程中的能量损失，这对于高频开关电源和电机驱动电路至关重要。

在接口与参数方面，STD100N10LF7AG采用标准的表面贴装DPAK封装，便于自动化生产并节省PCB空间。其最大功率耗散能力为125W，结温工作范围宽达-55°C至175°C，确保了其在高温环境下的稳定运行。这些参数共同定义了其在苛刻环境下的鲁棒性。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的ST芯片代理获取相关的技术支持和库存信息。

基于其高耐压、大电流和低损耗的特性，这款器件非常适合应用于要求高效率和高可靠性的领域。典型的应用场景包括汽车系统中的电机控制（如燃油泵、风扇、车窗升降器）、DC-DC转换器（尤其是同步整流和开关拓扑）以及各类电源管理和负载开关电路。其汽车级认证使其成为引擎舱内或车身控制模块等恶劣电气环境中功率开关设计的优选之一，尽管处于停产状态，其设计理念和性能参数仍对理解同类替代产品的选型具有重要参考价值。

• 型号:STD100N10LF7AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-252（DPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 80A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:9 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:73 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4000 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252（DPAK）
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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