SCT1000N170技术参数详情:
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- 型号:SCT1000N170
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:HiP247
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 描述:HIP247 IN LINE
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:SiCFET(碳化硅)
- 漏源电压(Vdss):1700 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7A(Tc)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):20V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):1.3 欧姆 @ 3A,20V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 1mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):13.3 nC @ 20 V
- Vgs(最大值):+22V,-10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):133 pF @ 1000 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):96W(Tc)
- 工作温度:-55°C ~ 200°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:HiP247
- 封装/外壳:TO-247-3
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