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基本参数:
参数详情:
原厂标准完整型号: STH185N10F3-2
制造厂家名称: STMicroelectronics
功能总体简述: MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2
系列: STripFET F3
FET 类型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能: 标准
漏源极电压(Vdss): 100V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 180A(Tc)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值): 4.5 毫欧 @ 60A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 114.6nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 6665pF @ 25V
功率 - 最大值: 315W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 凸片)变型
供应商器件封装: H2PAK

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