原厂标准完整型号: STH185N10F3-2
制造厂家名称: STMicroelectronics
功能总体简述: MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2
系列: STripFET F3
FET 类型: MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能: 标准
漏源极电压（Vdss）: 100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 180A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）: 4.5 毫欧 @ 60A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 114.6nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 6665pF @ 25V
功率 - 最大值: 315W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 凸片）变型
供应商器件封装: H2PAK