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STH185N10F3-2
制造厂商：ST（意法半导体）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：H2Pak-2
技术参数：MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2
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技术参数详情：
制造商产品型号：STH185N10F3-2制造商：ST（意法半导体，STMicroelectronics）描述：MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：Automotive, AEC-Q101, STripFET? F3零件状态：停产FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：100V25°C时电流-连续漏极(Id)：180A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：4.5 毫欧 @ 60A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：114.6nC @ 10VVgs（最大值）：±20V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：6665pF @ 25VFET功能：-功率耗散（最大值）：315W（Tc）工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：H2Pak-2现在可以订购STH185N10F3-2，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
