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STW48N60M6

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STW48N60M6技术参数详情:

作为意法半导体MDmesh M6系列中的一员,STW48N60M6是一款采用先进超结技术制造的N沟道功率MOSFET。其核心架构基于优化的单元设计和垂直导电结构,旨在实现高击穿电压与低导通电阻之间的卓越平衡。该器件采用TO-247通孔封装,为高功率应用提供了坚固的物理基础和高效的散热路径,确保在严苛环境下稳定工作。

该器件在600V的漏源电压(Vdss)额定值下,能够提供高达39A(Tc)的连续漏极电流,展现了其强大的功率处理能力。其关键特性在于极低的导通电阻(Rds(on)),在10V驱动电压、19.5A电流条件下,典型值仅为69毫欧。这一特性直接转化为更低的传导损耗,显著提升了系统的整体效率。同时,其栅极电荷(Qg)最大值控制在57nC(@10V),结合优化的内部栅极电阻,有助于实现快速、干净的开关切换,减少开关损耗并简化栅极驱动电路的设计。

在电气参数方面,STW48N60M6具有宽泛的栅源电压(Vgs)工作范围(±25V)和适中的栅极阈值电压(Vgs(th)最大值4.75V),这为驱动电路的设计提供了灵活性和鲁棒性。其输入电容(Ciss)等动态参数经过精心优化,旨在抑制高频振荡,提升电磁兼容性。该器件支持高达250W(Tc)的功率耗散,并拥有-55°C至150°C的宽广结温工作范围,确保了其在工业级应用中的长期可靠性。对于需要可靠供应链和技术支持的客户,可以通过官方授权的ST代理获取此产品及相关服务。

凭借其高性能与高可靠性,STW48N60M6非常适合于要求高效率和高功率密度的应用场景。它常被用作开关模式电源(SMPS)中的主开关管,特别是在服务器电源、通信电源及工业电源等中高功率AC-DC转换器中。此外,它在电机驱动、不间断电源(UPS)、太阳能逆变器以及电焊机等设备的功率级设计中,也是实现高效能量转换的核心组件之一。

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