ST意法半导体中国代理商联接渠道
强大的ST芯片现货交付能力，助您成功
STW160N75F3是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的STripFET技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用通孔TO-247-3封装，专为高功率密度和高效率应用而设计。其核心架构优化了单元密度和沟槽栅极结构，旨在实现极低的导通电阻与出色的开关性能平衡，从而在75V的漏源电压（Vdss）额定值下，能够处理高达120A（Tc）的连续漏极电流。
该MOSFET的一个突出特点是其极低的导通损耗。在10V驱动电压、60A电流条件下，其导通电阻（Rds(On)）典型值低至4毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统整体效率。同时，其栅极电荷（Qg）在10V条件下最大值为85nC，结合6750pF（@25V）的输入电容，表明器件具备良好的开关特性，有助于降低高频开关应用中的驱动损耗和开关损耗。其栅源电压（Vgs）最大额定值为±20V，提供了较宽的驱动安全裕度。
在电气参数方面，STW160N75F3的阈值电压（Vgs(th)）最大为4V @ 250A，确保了良好的噪声免疫能力。器件在管壳温度（Tc）下的最大功率耗散能力为330W，结合其宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 175°C），赋予了其强大的热管理和可靠性潜力。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过授权的ST一级代理获取相关产品信息与库存服务。
得益于其高电流处理能力、低导通电阻和稳健的封装，STW160N75F3非常适用于对效率和功率密度有严苛要求的工业与汽车领域。典型应用场景包括大电流DC-DC转换器、电机驱动控制器（如伺服驱动、电动工具）、不间断电源（UPS）系统中的功率开关模块，以及各类电源和逆变器设计。其TO-247封装也便于在需要强散热能力的场合安装散热器。
