ST意法半导体中国代理商联接渠道
强大的ST芯片现货交付能力，助您成功
STW15N80K5是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的SuperMESH5技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的平面工艺结构，通过优化的单元设计和制造工艺，在硅片层面实现了导通电阻与栅极电荷之间的出色平衡。其核心架构旨在最大限度地降低传导损耗和开关损耗，这对于提升高频开关电源的整体效率至关重要。TO-247封装提供了优异的散热路径，确保器件在高功率耗散条件下仍能稳定工作。
该MOSFET具备800V的漏源击穿电压（Vdss），这使其能够从容应对工业及消费类开关电源中常见的电压应力，例如在反激式或PFC（功率因数校正）电路中提供充足的电压裕量。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）额定值为14A，结合仅375毫欧（@7A, 10V）的最大导通电阻（Rds(on)），意味着在导通期间能够实现极低的功率损耗。栅极电荷（Qg）最大值仅为32nC（@10V），这一特性显著降低了驱动电路的负担和开关过程中的能量损失，有助于实现更高频率的开关操作并简化栅极驱动设计。
在电气接口与参数方面，STW15N80K5的标准驱动电压为10V，其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为5V，确保了良好的噪声抑制能力。栅源电压（Vgs）可承受±30V的最大值，为驱动电路设计提供了灵活性。器件的输入电容（Ciss）在100V偏置下最大为1100pF，与低栅极电荷共同构成了快速开关性能的基础。其最大功率耗散能力为190W（Tc），工作结温范围宽达-55°C至150°C，保证了在严苛环境下的可靠性。对于需要可靠供应链的客户，可以通过授权的ST代理商获取原装正品和技术支持。
凭借高耐压、低导通电阻和优异的开关特性，STW15N80K5非常适用于要求高效率和高可靠性的中高功率应用场景。典型应用包括服务器和通信设备的开关电源（SMPS）、工业电机驱动与变频器、不间断电源（UPS）、电焊机以及高性能LED照明驱动。在这些领域中，它能够有效提升系统能效，减少散热需求，并有助于实现更紧凑的电源设计。
