ST意法半导体中国代理商联接渠道
强大的ST芯片现货交付能力，助您成功
STW13NM50N是ST意法半导体基于其成熟的MDmesh II技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的垂直结构设计，旨在实现高电压下的低导通损耗与快速开关性能的平衡。其核心在于优化了单元密度与电荷平衡，使得在500V的漏源电压（Vdss）额定值下，能够有效控制寄生电容并降低导通电阻（Rds(on)），从而提升整体能效。这种架构特别适用于需要处理高电压、高功率的开关模式电源（SMPS）拓扑。
该MOSFET的显著特性包括高达12A的连续漏极电流（Tc=25°C）能力以及在10V驱动电压、6A电流下仅320毫欧的最大导通电阻。较低的Rds(on)直接转化为更低的传导损耗，有助于提高系统效率并减少热管理需求。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在30nC（@10V），结合适中的输入电容（Ciss），有助于实现快速的开关瞬态，减少开关损耗，这对于高频开关应用至关重要。其栅源电压（Vgs）最大额定值为±25V，提供了较宽的驱动安全裕度。
在接口与参数方面，STW13NM50N采用工业标准的TO-247-3通孔封装，具有良好的机械强度和散热性能，其最大功率耗散能力为100W（Tc）。器件的工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在苛刻环境下的可靠性。需要注意的是，该产品目前已处于停产状态，在为新设计选型时需考虑替代方案或库存情况，用户可通过官方ST代理渠道获取最新的产品生命周期信息和技术支持。
得益于其500V的耐压和良好的开关特性，STW13NM50N非常适合应用于离线式开关电源（AC-DC转换器）、功率因数校正（PFC）电路、电机驱动逆变器以及不同断电源（UPS）等中高功率领域。在这些场景中，它能够作为主开关管或同步整流元件，有效提升电源系统的功率密度和能源转换效率。
