ST意法半导体中国代理商联接渠道
强大的ST芯片现货交付能力，助您成功
STP4NB80是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的PowerMESH技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用成熟的平面工艺架构，通过优化的单元设计和制造工艺，在硅片层面实现了低比导通电阻（Rds(on)）与高阻断电压的良好平衡。其核心设计旨在降低导通损耗和开关损耗，这对于提升功率转换系统的整体效率至关重要。
该MOSFET具备800V的高漏源击穿电压（Vdss），使其能够从容应对工业及消费类电源应用中常见的电压应力和开关尖峰。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）额定值为4A。其导通特性表现突出，当栅源电压（Vgs）为10V、漏极电流为2A时，导通电阻最大值仅为3.3欧姆，这直接有助于减少导通状态下的功率损耗。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在29nC（@10V），结合920pF的典型输入电容（Ciss），意味着器件具有较快的开关速度和较低的驱动需求，有利于简化驱动电路设计并降低开关损耗。
该器件采用经典的TO-220AB通孔封装，具有良好的机械强度和散热性能，其最大功率耗散能力为100W（Tc）。其栅极驱动电压范围宽泛，标准驱动电压为10V，最大可承受±30V的栅源电压，提供了较强的抗干扰能力。工作结温（Tj）最高可达150°C，确保了其在严苛环境下的可靠性。值得注意的是，该产品目前已处于停产状态，在为新设计选型时，建议通过官方渠道或ST授权代理查询替代型号及库存信息。
凭借800V的耐压和4A的电流能力，STP4NB80非常适用于需要高压开关和中等电流处理的场合。其典型应用领域包括离线式开关电源（SMPS）的初级侧功率开关、功率因数校正（PFC）电路、电子镇流器以及电机驱动控制中的辅助电源部分。在这些应用中，其高耐压和良好的开关特性有助于构建高效、紧凑且可靠的功率转换解决方案。
