STP46N60M6

STP46N60M6是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh M6技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构设计，旨在实现高击穿电压与低导通电阻之间的卓越平衡。其核心在于第二代超级结技术与精细的单元结构，通过降低栅极电荷和输出电容，显著提升了开关性能，同时保持了出色的雪崩耐量和dv/dt鲁棒性，为高可靠性应用提供了坚实的物理基础。

该MOSFET的突出特性体现在其600V的漏源击穿电压（Vdss）和低至80毫欧的导通电阻（Rds(on)）上，这一组合使其在高压环境中能够有效降低传导损耗。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）可达36A，最大功率耗散为250W，展现了强大的电流处理与散热能力。其栅极驱动设计兼容性强，标准10V驱动电压即可实现完全导通，且栅极-源极电压（Vgs）最大可承受±25V，提供了宽裕的设计余量。得益于MDmesh M6技术的优化，器件在开关过程中产生的损耗被有效抑制，这对于提升系统整体效率至关重要。

在电气参数方面，STP46N60M6的阈值电压Vgs(th)最大值为4.75V，具备良好的噪声抑制能力。其工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的稳定运行。器件采用经典的TO-220通孔封装，便于安装散热器以实现高效的热管理。用户可通过官方授权的ST代理获取完整的数据手册、应用笔记以及可靠的技术支持与供应保障。

凭借其高性能与高可靠性，该器件非常适用于对效率和功率密度有严格要求的离线式开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路、电机驱动与变频控制、不间断电源（UPS）以及工业照明镇流器等应用场景。它能够作为主开关管或同步整流元件，帮助设计工程师构建更高效、更紧凑的电源与功率转换解决方案。

• 型号:STP46N60M6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 36A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):36A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:80 毫欧 @ 18A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:53.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2340 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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