ST意法半导体中国代理商联接渠道
强大的ST芯片现货交付能力，助您成功
意法半导体（STMicroelectronics）推出的STP13N95K3是一款采用先进SuperMESH3技术平台的高压N沟道功率MOSFET。该器件基于优化的垂直架构设计，通过在单元密度和导通电阻（RDS(on)）之间实现卓越的平衡，显著提升了功率转换效率。其核心优势在于极低的单位面积导通电阻，这得益于精细的沟槽栅极工艺和增强的电荷平衡机制，使得在承受高达950V漏源电压的同时，仍能保持较低的传导损耗。
在功能特性方面，STP13N95K3展现出优异的开关性能与坚固性。其最大导通电阻仅为850毫欧（在5A，10V条件下），配合低至51nC的栅极电荷（Qg），共同确保了快速开关能力和较低的总开关损耗，这对于提升高频开关电源的效率至关重要。器件具备±30V的宽栅源电压容限，增强了驱动电路的鲁棒性。高达190W（Tc）的功率耗散能力与-55°C至150°C的宽结温工作范围，使其能够在苛刻的热环境中稳定运行，并通过标准的TO-220通孔封装提供良好的散热路径。
从电气参数来看，该MOSFET的额定连续漏极电流为10A（Tc），其阈值电压VGS(th)最大值为5V（在100A条件下），提供了明确的导通门槛。输入电容（Ciss）最大值为1620pF（在100V条件下），与低栅极电荷特性相结合，降低了对驱动电流的需求，简化了栅极驱动设计。这些参数共同定义了一个高效、可靠的功率开关解决方案，用户可通过ST中国代理获取详细的技术支持与供应链服务。
基于其高压、高效和坚固的特性，STP13N95K3非常适用于需要高可靠性和高效率的功率电子领域。典型应用包括工业级开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）电路和主开关、照明系统的电子镇流器、以及电机驱动和逆变器中的高压侧开关。其设计旨在满足日益增长的对能源效率和功率密度的要求，是工程师设计下一代高性能电源产品的理想选择。
