STO47N60M6

STO47N60M6是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh M6技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直结构，通过创新的单元设计和工艺技术，在保持高阻断电压能力的同时，显著降低了单位面积的导通电阻（R_DS(on)）和栅极电荷（Q_G）。其核心架构旨在实现高效率与高功率密度的平衡，特别适用于对开关损耗和导通损耗都极为敏感的高频开关应用。

该MOSFET具备600V的漏源击穿电压（V_DSS），确保了在工业级AC-DC电源及电机驱动等高压环境下的可靠运行。其导通电阻在10V驱动电压、18A电流条件下典型值仅为80毫欧，这一低R_DS(on)特性直接转化为更低的导通损耗和发热。同时，其栅极总电荷（Q_g）最大值控制在52.2nC，结合优化的内部栅极电阻，有助于实现更快的开关速度和更低的驱动损耗，从而提升系统整体能效。器件采用TOLL（HV）封装，这种表面贴装型封装具有优异的热性能和低寄生电感，便于PCB布局并提升功率循环能力。

在电气参数方面，STO47N60M6在25°C壳温下可连续通过36A的漏极电流，最大功耗达255W。其栅源阈值电压（V_GS(th)）典型值适中，确保了良好的噪声免疫性和易驱动性。输入电容（C_iss）等动态参数经过优化，有助于减少开关过程中的电压尖峰和振荡。用户可通过官方ST代理获取完整的数据手册、仿真模型及技术支持。其工作结温范围覆盖-55°C至150°C，适用于严苛的环境。

凭借其高性能组合，该器件主要面向需要高效率和高可靠性的功率转换领域。典型应用包括服务器和通信设备的开关电源（SMPS）初级侧PFC和LLC谐振拓扑、工业电机驱动和变频器、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器以及电动汽车的车载充电机（OBC）。在这些场景中，它能有效提升系统能效等级，减小散热器尺寸，最终实现电源系统的小型化和轻量化。

• 型号:STO47N60M6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TOLL（HV）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 36A TOLL
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):36A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:80 毫欧 @ 18A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:52.2 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2340 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:255W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TOLL（HV）
• 封装/外壳:8-PowerSFN
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