STN3P10F6技术参数详情:
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- 型号:STN3P10F6
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:SOT-223
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 描述:SOT 223
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:在售
- FET 类型:P 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):100 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):180 毫欧 @ 1.5A,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):16.5 nC @ 10 V
- Vgs(最大值):±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):900 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):3.3W
- 工作温度:-55°C ~ 175°C
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:SOT-223
- 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA
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