STL66N3LLH5

作为ST意法半导体Automotive, AEC-Q101认证的STripFET V系列产品，STL66N3LLH5是一款采用先进沟槽栅工艺的N沟道功率MOSFET。其核心架构基于优化的单元设计，在紧凑的PowerFlat（5x6）封装内实现了极低的导通电阻与优异的开关性能平衡，专为要求高效率和高功率密度的应用而优化。

该器件在30V的漏源电压（Vdss）额定值下，能够在25°C壳温条件下提供高达80A的连续漏极电流。其关键特性在于极低的导通损耗，在10V驱动电压下，导通电阻（Rds(on)）典型值仅为5.8毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为12nC @ 4.5V，结合1500pF的输入电容，确保了快速的开关切换能力，有助于降低开关损耗并支持更高的工作频率。

在接口与参数方面，STL66N3LLH5具备宽泛的栅极驱动电压范围（最大±22V）和较低的栅极阈值电压（Vgs(th)最大值3V），使其与主流3.3V及5V逻辑电平控制器兼容良好，简化了驱动电路设计。其工作结温范围宽达-55°C至175°C，并采用表面贴装型PowerFlat封装，不仅提供了出色的热性能，以满足72W的最大功率耗散需求，也节省了宝贵的PCB空间。对于需要可靠供应链的客户，可以通过授权的ST代理商获取该产品。

凭借其高电流能力、低导通电阻和AEC-Q101车规级认证，这款MOSFET非常适合于对可靠性和性能有严苛要求的应用场景。其主要应用领域包括汽车系统中的电机驱动（如风扇、泵、车窗升降器）、电池保护与负载开关、DC-DC转换器中的同步整流和功率开关，以及各类工业电源管理和高密度电源模块。其稳健的设计使其能够在恶劣的电气和热环境中稳定工作，是工程师实现紧凑、高效功率解决方案的理想选择。

• 型号:STL66N3LLH5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 80A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5.8 毫欧 @ 10.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±22V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1500 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:72W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装，可润湿侧翼
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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