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STL50DN6F7
制造厂商:ST(意法半导体)
类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列,封装:8-PowerVDFN
技术参数:MOSFET N-CH 60V 57A POWERFLAT
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技术参数详情:
制造商产品型号:STL50DN6F7制造商:ST(意法半导体,STMicroelectronics)描述:MOSFET N-CH 60V 57A POWERFLAT系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列产品系列:STripFET?零件状态:有源FET类型:2 N-通道(双)FET功能:标准漏源电压(Vdss):60V25°C时电流-连续漏极(Id):57A(Tc)不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):11 毫欧 @ 7.5A,10V不同Id时Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):17nC @ 10V不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):1035pF @ 30V功率-最大值:62.5W工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)安装类型:表面贴装型封装:8-PowerVDFN现在可以订购STL50DN6F7,国内库存当天发货,国外库存7-10天内发货。