STL45P3LLH6

STL45P3LLH6是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的STripFET H6技术平台开发的一款高性能P沟道功率MOSFET。该器件采用优化的垂直架构，通过精细的单元设计和先进的沟槽工艺，在单位面积内实现了极低的导通电阻与出色的电荷平衡。其核心设计目标是在紧凑的封装内提供高电流处理能力和高效率，这使其成为空间受限但性能要求苛刻的功率开关应用的理想选择。

该芯片的显著特性在于其卓越的导通性能与开关特性的平衡。在10V栅极驱动电压下，其导通电阻（R_DS(on)）典型值远低于13毫欧，确保了在高达45A的连续漏极电流下，通态损耗被降至最低。同时，其栅极总电荷（Q_g）最大值仅为24nC（@4.5V），结合较低的栅极阈值电压（V_GS(th)），意味着驱动电路可以更快速、更高效地完成器件的开启与关断，从而显著降低开关损耗，提升系统整体能效。这种低R_DS(on)与低Q_g的优异组合，是STripFET H6系列技术的直接体现。

在电气接口与参数方面，该器件额定漏源电压（V_DSS）为30V，适用于常见的12V或24V总线系统。其栅源电压（V_GS）最大耐受范围为±20V，提供了宽裕的驱动安全裕度。热性能方面，其结温（T_J）工作范围宽达-55°C至175°C，并且当外壳温度（T_C）为25°C时，最大功耗可达75W，展现了强大的散热潜力。物理封装采用了意法半导体的PowerFlat（5x6）表面贴装封装，这种封装具有极低的热阻和封装电感，底部裸露的散热焊盘便于将芯片产生的热量高效传导至PCB铜箔，非常适合高功率密度设计。对于需要本地化技术支持和供应链保障的客户，可以通过ST中国代理获取详细的设计支持与供货信息。

基于上述技术特性，STL45P3LLH6非常适合应用于对效率和空间均有严苛要求的领域。其主要应用场景包括服务器和通信设备的负载开关与电源管理、电动工具和无人机中的电机驱动与电池保护电路，以及汽车电子系统中的辅助驱动与智能配电。在这些应用中，它能够作为高效的高侧开关，实现系统的低功耗运行与可靠控制。

• 型号:STL45P3LLH6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 45A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):45A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:13 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:24 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2615 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:4.8W（Ta），75W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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