ST意法半导体中国代理商联接渠道
强大的ST芯片现货交付能力，助您成功
STK822是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款采用先进封装技术的N沟道功率MOSFET。该器件基于STripFET技术平台构建，该平台通过优化单元结构和工艺，旨在实现极低的导通电阻（RDS(on)）与栅极电荷（Qg）的乘积，即优异的品质因数（FOM），从而在开关应用中显著降低导通损耗和开关损耗，提升整体能效。
其核心电气特性表现为25V的漏源击穿电压（VDSS）和高达38A的连续漏极电流（ID）能力，使其非常适合处理中低电压、大电流的功率路径。其导通电阻在10V栅极驱动电压（VGS）和19A电流条件下，最大值仅为2.15毫欧，这一超低的RDS(on)是降低导通状态下功率耗散的关键。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为33nC（@4.5V），结合2.5V（最大值）的阈值电压（VGS(th)），意味着该器件具备快速的开关速度和良好的栅极驱动兼容性，能够简化驱动电路设计并提升开关频率。
该器件采用创新的PolarPak封装，这是一种专为优化热性能和电气性能而设计的表面贴装封装。其结构有助于实现更低的封装寄生电感和电阻，同时改善了芯片到散热界面的热传导路径，从而在紧凑的占板面积内支持高达5.2W的功率耗散。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在苛刻环境下的可靠性。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方ST授权代理获取相关技术资料与库存信息。
综合其参数，STK822主要面向需要高效率和高功率密度的DC-DC转换应用，例如计算机主板、显卡的VRM（电压调节模块）、服务器电源的同步整流阶段，以及各类便携式设备中的负载点（POL）转换器。其优异的开关特性也使其适用于电机驱动控制电路中的开关元件。尽管该产品目前已处于停产状态，但其设计所体现的低损耗、高性能理念，在当时的同步整流和电源管理方案中曾是重要的组成部分。
