ST意法半导体中国代理商联接渠道
强大的ST芯片现货交付能力，助您成功
STI35N65M5是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的MDmesh V技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用通孔I2PAK封装，专为高电压、高效率的功率转换应用而设计。其核心架构通过优化的单元结构和垂直导电沟道，在650V的高漏源电压（Vdss）额定值下，实现了导通电阻（Rds(on)）与栅极电荷（Qg）之间的出色平衡，这对于降低开关损耗和传导损耗至关重要。
该器件的显著特性在于其卓越的性能参数。在25°C壳温（Tc）下，其连续漏极电流（Id）额定值高达27A，最大功率耗散为160W，确保了强大的电流处理能力和可靠性。其导通电阻在10V驱动电压、13.5A电流条件下最大仅为98毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Qg）在10V条件下最大为83nC，结合较低的输入电容（Ciss），有助于实现快速的开关切换，减少开关过程中的能量损失，并简化栅极驱动电路的设计。
在接口与参数方面，STI35N65M5的栅源电压（Vgs）最大额定值为±25V，提供了宽裕的驱动安全裕度。其阈值电压（Vgs(th)）最大为5V @ 250A，具备良好的噪声抑制能力。器件最高结温（TJ）为150°C，适应严苛的工作环境。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的ST代理商获取相关技术资料与库存信息。
得益于其高耐压、低导通电阻和快速开关特性，STI35N65M5非常适用于要求高效率和高功率密度的应用场景。典型应用包括工业电源的功率因数校正（PFC）电路、开关模式电源（SMPS）的初级侧开关、电机的驱动与控制，以及不同断电源（UPS）和太阳能逆变器等新能源转换系统。其I2PAK封装提供了良好的散热性能和机械强度，适合通过散热器进行有效热管理的功率应用。
