STI175N4F6AG

作为ST意法半导体STripFET F6系列中的一员，STI175N4F6AG是一款采用N沟道增强型MOSFET技术的功率半导体器件。该器件基于先进的工艺架构，旨在实现极低的导通损耗和出色的开关性能。其核心设计优化了单元密度与栅极电荷之间的平衡，使得在提供大电流处理能力的同时，能够保持快速的开关响应，这对于提升整体电源系统的效率至关重要。

该MOSFET的显著特性在于其卓越的低导通电阻，在10V栅极驱动电压和60A漏极电流条件下，其Rds(On)最大值仅为2.7毫欧。这一特性直接转化为更低的传导损耗，尤其适用于高电流应用。同时，其栅极电荷(Qg)最大值控制在130nC，有助于降低开关过程中的驱动损耗，提升高频开关应用的效率。器件具备40V的漏源击穿电压(Vdss)和高达120A的连续漏极电流(Id)承载能力，并采用通孔安装的I2PAK（TO-262）封装，提供了坚固的机械结构和良好的散热路径，其最大功率耗散可达190W。

在电气参数方面，STI175N4F6AG的栅源阈值电压(Vgs(th))最大值为4.5V，确保了良好的噪声免疫性。其栅源电压(Vgs)可承受±20V的范围，为驱动电路设计提供了灵活性。输入电容(Ciss)在20V漏源电压下最大值为7735pF，这是评估其开关速度的重要参数之一。值得注意的是，该器件拥有宽广的结温工作范围，从-55°C延伸至175°C，使其能够适应苛刻的环境条件。用户可通过ST授权代理获取该产品的详细技术资料与库存信息。

凭借其高电流、低损耗和坚固封装的特点，该器件主要面向对效率和功率密度有严苛要求的应用场景。典型应用包括服务器和电信设备的DC-DC转换器中的同步整流和功率开关、电机驱动与控制电路、以及各类工业电源系统中的负载开关和逆变器模块。其设计旨在满足现代电力电子系统对于高效率和高可靠性的持续追求。

• 制造商产品型号：STI175N4F6AG
• 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
• 描述：MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：STripFET F6
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：40V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：120A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：2.7 毫欧 @ 60A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：130nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：7735pF @ 20V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：190W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：I2PAK（TO-262）
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