ST意法半导体中国代理商联接渠道
强大的ST芯片现货交付能力，助您成功
作为ST意法半导体旗下DeepGATE和STripFET VII产品系列的一员，STH80N10F7-2是一款采用先进沟槽栅技术的N沟道功率MOSFET。其核心架构基于优化的单元设计，旨在实现极低的导通电阻与栅极电荷，从而在100V的漏源电压（Vdss）等级下，有效平衡了传导损耗与开关损耗。该器件采用H2PAK-2封装，这是一种专为大电流应用设计的表面贴装型封装，具有良好的热性能和功率处理能力，其最大结温（TJ）可达175°C，确保了在严苛环境下的可靠性。
该MOSFET的关键性能体现在其出色的导通特性上，在驱动电压为10V、漏极电流为40A的条件下，其导通电阻（Rds(on)）典型值仅为9.5毫欧。这一低阻抗特性直接转化为更低的功率耗散，结合高达80A（Tc）的连续漏极电流能力，使其能够高效处理大功率负载。同时，其栅极驱动设计兼顾了效率与易用性，栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为4.5V，而栅极电荷（Qg）在10V条件下最大值为45nC，这有助于简化驱动电路设计并提升开关速度。对于需要技术支持与可靠供应的项目，可以咨询专业的ST授权代理。
在电气参数方面，该器件提供了宽泛的安全工作范围。其栅源电压（Vgs）最大额定值为±20V，为驱动电路提供了充足的裕量。输入电容（Ciss）在50V条件下最大为3100pF，这是评估开关动态性能的重要参数。器件在管壳温度（Tc）下的最大功率耗散为110W，结合其封装的热特性，为系统散热设计提供了明确依据。其工作温度范围覆盖-55°C至175°C（TJ），适用于工业级应用环境。
基于其100V的耐压、80A的高电流承载能力以及优异的开关性能，STH80N10F7-2非常适合应用于要求高效率和高功率密度的场合。典型应用包括工业电源中的同步整流、DC-DC转换器中的功率开关、电机驱动与控制系统，以及各类需要快速开关和低损耗的功率管理模块。尽管其零件状态标注为停产，但在一些现有系统维护或特定设计中，它仍然是一个值得参考的高性能功率开关解决方案。
