ST意法半导体中国代理商联接渠道
强大的ST芯片现货交付能力，助您成功
作为ST意法半导体MDmesh K5系列中的一员，STH6N95K5-2是一款采用先进超结技术制造的N沟道功率MOSFET。该器件基于优化的垂直架构设计，旨在实现高耐压与低导通损耗之间的出色平衡。其核心在于第二代MDmesh K5技术平台，该平台通过创新的单元结构和工艺优化，显著降低了单位面积的导通电阻（Rds(on)）和栅极电荷（Qg），从而提升了开关效率和功率密度，使其在高压应用中能够有效降低传导和开关损耗。
该器件提供了950V的高漏源击穿电压（Vdss），确保了在严苛的离线电源拓扑中的高可靠性。其导通电阻在10V驱动电压、3A电流条件下典型值仅为1.25欧姆，结合极低的栅极电荷（典型值13nC），共同构成了其高效能的核心。较低的Qg意味着驱动电路所需的能量更少，开关速度更快，有助于简化栅极驱动设计并提升系统整体效率。此外，其输入电容（Ciss）也得到良好控制，有助于改善高频开关性能。
在电气参数方面，STH6N95K5-2在壳温（Tc）条件下支持高达6A的连续漏极电流，最大功耗为110W。其栅源电压（Vgs）耐受范围宽达±30V，增强了抗干扰能力。器件采用紧凑的H2PAK-2表面贴装封装，这种封装具有良好的热性能和功率处理能力，适合自动化生产。其工作结温范围覆盖-55°C至150°C，保证了在宽温环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的ST中国代理获取该产品及相关服务。
凭借其高耐压、高效率和高可靠性的特点，这款MOSFET非常适用于要求严苛的功率转换领域。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）电路和反激式拓扑，尤其适用于工业电源、服务器电源和电信基础设施。此外，它也适用于照明领域的LED驱动以及电机驱动和逆变器中的辅助电源部分，为系统提供高效、紧凑的高压开关解决方案。
