STH150N10F7-2

STH150N10F7-2是意法半导体（STMicroelectronics）基于其先进的STripFET VII技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的单元结构和制造工艺，旨在实现极低的导通电阻与栅极电荷的卓越平衡，从而在100V的电压等级下提供高效率的功率开关性能。其核心架构继承了DeepGATE系列的设计理念，通过增强的栅极控制能力和优化的电荷分布，显著提升了开关速度并降低了开关损耗，为高频应用场景奠定了坚实基础。

该器件在25°C（壳温）条件下可支持高达110A的连续漏极电流，其导通电阻在10V驱动电压、55A电流条件下典型值仅为3.9毫欧，这一特性直接转化为更低的传导损耗和更高的系统能效。极低的Rds(On)特性是其核心优势之一。同时，其栅极电荷（Qg）在10V条件下最大值为117nC，较低的栅极电荷意味着驱动电路所需的能量更少，有助于简化驱动设计并进一步提升开关频率。其栅源电压（Vgs）耐受范围达到±20V，提供了更宽的安全工作裕度。

在封装与热管理方面，STH150N10F7-2采用表面贴装型H2PAK-2封装。这种封装形式具有良好的热性能和功率耗散能力，在壳温条件下最大功率耗散可达250W，结合其-55°C至175°C的宽结温工作范围，确保了器件在严苛环境下的可靠性与稳定性。其输入电容（Ciss）在50V条件下最大为8115pF，这一参数与栅极电荷共同决定了器件的动态开关特性。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过授权的ST芯片代理获取该产品及相关设计资源。

凭借其高电流处理能力、低导通损耗和稳健的热性能，此MOSFET非常适用于对效率和功率密度有严苛要求的应用领域。典型应用包括工业电机驱动、大功率DC-DC转换器、不间断电源（UPS）系统以及电动汽车相关的辅助电源和电池管理系统。在这些场景中，它能够有效提升系统整体效率，减少散热需求，并增强功率级的可靠性。

• 型号:STH150N10F7-2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2PAK-2
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 110A H2PAK-2
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):110A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.9 毫欧 @ 55A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:117 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:8115 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2PAK-2
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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