ST代理商,意法半导体代理商
ST意法半导体中国代理商联接渠道
强大的ST芯片现货交付能力,助您成功
ST(意法半导体)
ST公司(意法半导体)授权中国代理商,24小时提供ST芯片的最新报价
ST代理商 > > ST芯片 > > STGWA35HF60WDI
产品参考图片
STGWA35HF60WDI 图片

STGWA35HF60WDI

点击下图下载技术文档
STGWA35HF60WDI的技术资料下载
专营ST芯片半导体
全方位电子元器件现货供应链管理解决方案,ST(意法半导体)授权中国代理商

STGWA35HF60WDI技术参数详情:

STGWA35HF60WDI是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款高压绝缘栅双极型晶体管(IGBT),采用经典的TO-247-3通孔封装。该器件集成了先进的沟槽栅场截止(Trench Gate Field Stop)技术,这一架构通过在集电极侧引入一个场截止层,有效减薄了漂移区厚度,从而在维持高击穿电压的同时,显著降低了导通压降(Vce(sat))和开关损耗。其内部结构优化了载流子分布,使得器件在导通和关断过程中具有更优的动态特性,为实现高效率的功率转换提供了坚实的物理基础。

该IGBT具备600V的集电极-发射极击穿电压70A的连续集电极电流能力,脉冲电流(Icm)更可高达150A,展现出强大的功率处理潜能。其标准电平输入设计兼容大多数驱动电路,简化了系统设计。关键的电性能参数表现突出:在典型工作条件下(Vge=15V, Ic=20A),其最大饱和压降仅为2.5V,这直接转化为更低的导通损耗。同时,其栅极电荷(Qg)为140nC,开关能量(Eoff)为185J,结合30ns(典型)的开启延迟和175ns(典型)的关断延迟,共同构成了优异的开关性能与损耗平衡,有助于提升开关频率并减少散热需求。其反向恢复时间(trr)为85ns,在与续流二极管配合工作时有助于降低反向恢复引起的损耗和噪声。

在接口与热管理方面,该器件采用三引脚TO-247封装,具有良好的机械强度和成熟的安装工艺,便于在功率板上进行通孔焊接。其最大功耗为260W,结温(Tj)工作范围宽达-55°C至150°C,确保了在严苛环境下的可靠运行。稳定的性能表现使其成为值得信赖的功率开关解决方案,用户可通过官方授权的ST代理获取完整的技术支持与供应链服务。

基于其高电压、大电流和稳健的开关特性,STGWA35HF60WDI非常适用于要求严苛的工业级应用。典型应用场景包括但不限于三相电机驱动、不同断电源(UPS)、太阳能逆变器以及焊接设备中的功率转换模块。在这些领域中,它能够高效地执行变频、整流和逆变等核心功率开关功能,是实现高能效、高功率密度系统设计的关键元器件之一。

您可能对以下的类似型号也感兴趣:

ST代理商 - ST意法半导体(STMicroelectronics)授权的ST代理商
ST芯片(意法半导体)全球现货供应链管理专家,ST代理商独家渠道,提供最合理的总体采购成本