ST代理商,意法半导体代理商
ST意法半导体中国代理商联接渠道
强大的ST芯片现货交付能力,助您成功
ST(意法半导体)
ST公司(意法半导体)授权中国代理商,24小时提供ST芯片的最新报价
ST代理商 > > ST芯片 > > STGW35NC60WD
产品参考图片
STGW35NC60WD 图片

STGW35NC60WD

点击下图下载技术文档
STGW35NC60WD的技术资料下载
专营ST芯片半导体
全方位电子元器件现货供应链管理解决方案,ST(意法半导体)授权中国代理商

STGW35NC60WD技术参数详情:

STGW35NC60WD是意法半导体(STMicroelectronics)基于其成熟的PowerMESH技术平台开发的一款高压绝缘栅双极型晶体管(IGBT)。该器件采用TO-247-3通孔封装,集成了优化的单元结构和先进的沟槽栅场终止技术,旨在实现高功率密度与高效率的平衡。其核心架构通过精细的载流子寿命控制和薄晶圆工艺,有效降低了饱和压降(Vce(sat))和开关损耗,为600V电压等级的中大功率应用提供了一个性能均衡的解决方案。

该IGBT具备多项关键特性,以满足严苛的工业环境要求。其集电极-发射极击穿电压高达600V,最大连续集电极电流为70A,脉冲电流能力可达150A,确保了在负载波动或瞬时过载情况下的稳定运行。在典型工作条件下(Vge=15V, Ic=20A),其最大饱和压降仅为2.6V,这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。同时,其开关性能经过优化,开关能量(Eon/Eoff)分别为305J和181J,配合29.5ns(典型值)的开启延迟和118ns的关断延迟,有助于提升开关频率并减少电磁干扰(EMI)。

在接口与参数方面,STGW35NC60WD采用标准电平输入驱动,栅极电荷(Qg)为102nC,这降低了对栅极驱动电路的要求,简化了设计。其反向恢复时间(trr)为40ns,有助于在续流二极管换流过程中减少损耗和电压尖峰。器件的最大功耗为260W,结温(Tj)工作范围覆盖-55°C至150°C,展现了宽温域下的可靠性。尽管该产品目前已处于停产状态,但其成熟的设计和稳定的性能使其在既有系统和备件市场中仍具参考价值,用户可通过授权的ST一级代理获取库存或替代方案咨询。

得益于其稳健的电气性能和TO-247封装良好的散热特性,STGW35NC60WD非常适用于要求高可靠性和高效率的功率转换场景。典型应用包括工业电机驱动、不同断电源(UPS)、太阳能逆变器以及焊接设备等领域的功率开关模块。在这些应用中,它能够有效处理中高功率级别的能量转换,是实现紧凑、高效功率系统设计的经典选择之一。

您可能对以下的类似型号也感兴趣:

ST代理商 - ST意法半导体(STMicroelectronics)授权的ST代理商
ST芯片(意法半导体)全球现货供应链管理专家,ST代理商独家渠道,提供最合理的总体采购成本