STGSH80HB65DAG技术参数详情：
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- 型号:STGSH80HB65DAG
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:9-ACEPACK SMIT
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > IGBT 模块
- 描述:IGBT MOD 650V 83A 9-ACEPACK SMIT
- 包装:散装
- 产品状态:在售
- IGBT 类型:-
- 配置:半桥
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:83 A
- 功率 - 最大值:250 W
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，80A
- 电流 - 集电极截止（最大值）:-
- 不同Vce 时输入电容 (Cies):10450 pF @ 25 V
- 输入:标准
- NTC 热敏电阻:无
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:9-PowerSMD
- 供应商器件封装:9-ACEPACK SMIT
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