STGSH50M120D技术参数详情：
STGSH50M120D是ST公司(意法半导体)热门的产品型号之一，ST代理商提供专业及时的STGSH50M120D图片、参数及技术文档下载，为您采购ST芯片STGSH50M120D提供全方位的服务。
- 型号:STGSH50M120D
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:9-ACEPACK SMIT
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > IGBT 阵列
- 描述:IGBT H BRIDGE 1200V 69A 9PWR SMD
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- IGBT 类型:-
- 配置:半桥
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:69 A
- 功率 - 最大值:536 W
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，50A
- 电流 - 集电极截止（最大值）:25 A
- 不同Vce 时输入电容 (Cies):3152 pF @ 25 V
- 输入:标准
- NTC 热敏电阻:无
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:9-PowerSMD
- 供应商器件封装:9-ACEPACK SMIT
- 现在可以订购STGSH50M120D，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
