ST代理商,意法半导体代理商
ST意法半导体中国代理商联接渠道
强大的ST芯片现货交付能力,助您成功
ST(意法半导体)
ST公司(意法半导体)授权中国代理商,24小时提供ST芯片的最新报价
ST代理商 > > ST芯片 > > STGP18N40LZ
产品参考图片
STGP18N40LZ 图片

STGP18N40LZ

点击下图下载技术文档
STGP18N40LZ的技术资料下载
专营ST芯片半导体
全方位电子元器件现货供应链管理解决方案,ST(意法半导体)授权中国代理商

STGP18N40LZ技术参数详情:

STGP18N40LZ是ST意法半导体基于其成熟的PowerMESH技术平台开发的一款绝缘栅双极型晶体管(IGBT)。该器件采用TO-220-3通孔封装,集成了逻辑电平输入栅极驱动特性,旨在为中等功率开关应用提供一个高效、可靠的解决方案。其核心架构优化了导通损耗与开关速度之间的平衡,通过先进的沟槽栅场截止技术,实现了较低的饱和压降和快速的开关响应。

该器件的一个显著特点是其逻辑电平栅极驱动能力,标准4.5V的驱动电压即可使其充分导通,这极大地简化了驱动电路的设计,并降低了系统对栅极驱动电源的要求。在典型工作条件下(Vge=4.5V, Ic=10A),其集电极-发射极饱和压降Vce(on)最大值仅为1.7V,这直接转化为较低的导通损耗和更高的系统效率。同时,其栅极电荷(Qg)典型值为29nC,较低的栅极电荷需求有助于减少驱动损耗并提升开关频率潜力。其集电极连续电流额定值为30A,脉冲电流可达40A,最大集电极-发射极击穿电压为420V,最大功耗为150W,这些参数使其能够稳健地应对各种负载波动和瞬态条件。

在接口与参数方面,STGP18N40LZ提供了宽泛的工作结温范围(-55°C 至 175°C),确保了其在苛刻环境下的稳定性和长寿命。其开关特性在300V、10A、5V的测试条件下,典型开通延迟时间为650纳秒,关断延迟时间为13.5微秒,展现了良好的动态性能。用户可以通过正规的ST授权代理渠道获取该产品的详细技术资料、应用支持和原厂品质保证。

得益于其平衡的性能参数和坚固的TO-220封装,这款IGBT非常适合应用于要求高效率和高可靠性的领域。典型的应用场景包括开关模式电源(SMPS)的功率因数校正(PFC)和主逆变级、不同断电源(UPS)的DC-AC逆变器、电机驱动与控制系统(如变频器、伺服驱动)、以及工业焊接设备和感应加热设备中的高频逆变单元。它为工程师在设计400V母线电压等级的功率转换系统时,提供了一个经过验证的高性价比功率开关选择。

您可能对以下的类似型号也感兴趣:

ST代理商 - ST意法半导体(STMicroelectronics)授权的ST代理商
ST芯片(意法半导体)全球现货供应链管理专家,ST代理商独家渠道,提供最合理的总体采购成本