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ST(意法半导体)
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STGB5H60DF 图片
STGB5H60DF
  • 制造厂商:ST(意法半导体)
  • 类别封装:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单,封装:TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
  • 技术参数:TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, H S
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    技术参数详情:
  • 制造商产品型号:STGB5H60DF
  • 制造商:ST(意法半导体,STMicroelectronics)
  • 描述:TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, H S
  • 系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
  • 产品系列:-
  • 零件状态:有源
  • IGBT类型:沟槽型场截止
  • 电压-集射极击穿(最大值):600V
  • 电流-集电极(Ic)(最大值):10A
  • 电流-集电极脉冲(Icm):20A
  • 不同?Vge、Ic时?Vce(on)(最大值):1.95V @ 15V,5A
  • 功率-最大值:88W
  • 开关能量:56μJ(开),78.5μJ(关)
  • 输入类型:标准
  • 栅极电荷:43nC
  • 25°C时Td(开/关)值:30ns/140ns
  • 测试条件:400V,5A,47 欧姆,15V
  • 反向恢复时间(trr):134.5ns
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装:TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
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