SGT120R65AL

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• 型号:SGT120R65AL
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）HV
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:650 V, 75 MOHM TYP., 15 A, E-MOD
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:GaNFET（氮化镓）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:120 毫欧 @ 5A，6V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.6V @ 12mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:3 nC @ 6 V
• Vgs（最大值）:+6V，-10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:125 pF @ 400 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:192W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）HV
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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