SCTWA40N120G2V技术参数详情:
SCTWA40N120G2V是ST公司(意法半导体)热门的产品型号之一,ST代理商提供专业及时的SCTWA40N120G2V图片、参数及技术文档下载,为您采购ST芯片SCTWA40N120G2V提供全方位的服务。
- 型号:SCTWA40N120G2V
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247 长引线
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 描述:DISCRETE
- 系列:-
- 包装:散装
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):1200 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):36A(Tc)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):18V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):100 欧姆 @ 20A,18V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4.9V @ 1mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):61 nC @ 18 V
- Vgs(最大值):+18V,-5V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):1233 pF @ 800 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):278W(Tc)
- 工作温度:-55°C ~ 200°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-247 长引线
- 封装/外壳:TO-247-3
- 现在可以订购SCTWA40N120G2V,国内库存当天发货,国外库存7-10天内发货。