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SCTW35N65G2VAG
制造厂商：ST（意法半导体）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：HiP247?
技术参数：SICFET N-CH 650V 45A HIP247
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技术参数详情：
制造商产品型号：SCTW35N65G2VAG制造商：ST（意法半导体，STMicroelectronics）描述：SICFET N-CH 650V 45A HIP247系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：Automotive, AEC-Q101零件状态：有源FET类型：N 通道技术：SiCFET（碳化硅）漏源电压（Vdss）：650V25°C时电流-连续漏极(Id)：45A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：18V，20V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：67毫欧 @ 20A，20V不同Id时Vgs(th)（最大值）：5V @ 1mA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：73nC @ 20VVgs（最大值）：+22V，-10V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1370pF @ 400VFET功能：-功率耗散（最大值）：240W（Tc）工作温度：-55°C ~ 200°C（TJ）安装类型：通孔器件封装：HiP247?现在可以订购SCTW35N65G2VAG，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
