ST意法半导体 M24C02-WMN6 EEPROM存储器芯片 2Kbit容量 I2C接口 1.8V至5.5V宽电压

M24C02-WMN6技术参数详情：

M24C02-WMN6是ST意法半导体推出的一款基于IC串行接口的2Kbit EEPROM存储器芯片。该器件采用成熟的CMOS浮栅技术制造，其核心架构由一个256 x 8位的非易失性存储阵列、一个内置的页缓冲器以及完整的IC总线接口逻辑组成。这种设计确保了数据在掉电后仍能长期可靠保存，同时通过串行接口简化了与主控微处理器的连接，有效减少了系统板的空间占用和布线复杂度。

该芯片的功能特点突出体现在其宽电压工作范围（2.5V至5.5V）与全工业级工作温度（-40°C至85°C）上，这使其能够适应从电池供电的便携设备到严苛工业环境下的多种应用需求。其IC接口支持标准模式（100kHz）和快速模式（400kHz）操作，提供了灵活的数据传输速率选择。在写入操作方面，芯片支持字节写入和页写入（最大16字节）两种模式，典型的字或页写入周期时间为5ms，而读取访问时间仅为900ns，实现了在非易失存储与快速响应之间的良好平衡。对于需要稳定供应链的客户，可以通过授权的ST芯片代理获取相关产品与技术资料。

在接口与电气参数层面，M24C02-WMN6通过SDA（串行数据）和SCL（串行时钟）两根线与主设备通信，并内置了写保护（WP）引脚，可防止存储内容被意外改写。其采用8引脚SOIC封装，属于表面贴装型器件，便于自动化生产。该芯片具有高达100万次的擦写周期和长达40年的数据保存期限，这些关键参数共同构成了其高可靠性的基础。

基于上述特性，M24C02-WMN6非常适合应用于需要存储配置参数、校准数据或用户设置信息的场景。典型应用包括消费电子（如智能电视、机顶盒）、工业控制（如PLC、传感器模块）、通信设备以及汽车电子系统中的非关键数据存储。尽管该型号已处于停产状态，但其成熟的设计和广泛的验证使其在诸多现有产品和设计中仍占据重要地位，是中小容量、高可靠性非易失存储需求的经典解决方案之一。