GH50H65DRB2-7AG技术参数详情：
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- 型号:GH50H65DRB2-7AG
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:H2PAK-7
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT
- 包装:散装
- 产品状态:在售
- IGBT 类型:沟槽型场截止
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:108 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):200 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，50A
- 功率 - 最大值:385 W
- 开关能量:557J（关断）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:152 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:-/117ns
- 测试条件:400V，50A，4.7 欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr):912 ns
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
- 供应商器件封装:H2PAK-7
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