A1F25M12W2-F1技术参数详情：
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- 型号:A1F25M12W2-F1
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:ACEPACK 1
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
- 描述:MOSFET 4N-CH 1200V 50A ACEPACK1
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:不适用于新设计
- 技术:碳化硅（SiC）
- 配置:4 个 N 通道
- FET 功能:-
- 漏源电压（Vdss）:1200V（1.2kV）
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):50A
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:34 毫欧 @ 50A，18V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.9V @ 5mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:147nC @ 18V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3500pF @ 800V
- 功率 - 最大值:-
- 工作温度:175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:底座安装
- 封装/外壳:模块
- 供应商器件封装:ACEPACK 1
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