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ST意法半导体产品型号:STP11NM60N - 单端场效应管 - TO-220AB
图片信息
STP11NM60N封装图片
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基本参数:
  • 制造商:STMicroelectronics(中文名:意法半导体)
  • 出厂封装:TO-220AB
  • 功能类别:单端场效应管
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  • 参数详情:

    制造商零件编号:STP11NM60N
    制造商:STMicroelectronics
    描述:MOSFET N-CH 600V 10A TO-220
    系列:MDmesh II
    FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
    FET 功能:标准
    漏源极电压 (Vdss):600V
    电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):10A(Tc)
    不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):450 毫欧 @ 5A,10V
    不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA
    不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):31nC @ 10V
    不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):850pF @ 50V
    功率 - 最大值:90W
    安装类型:通孔
    封装/外壳:TO-220-3
    供应商器件封装:TO-220AB

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