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ST意法半导体产品型号:STI12N65M5 - 单端场效应管 - I2PAK
图片信息
STI12N65M5封装图片
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基本参数:
  • 制造商:STMicroelectronics(中文名:意法半导体)
  • 出厂封装:I2PAK
  • 功能类别:单端场效应管
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  • 参数详情:

    制造商零件编号:STI12N65M5
    制造商:STMicroelectronics
    描述:MOSFET N-CH 650V 8.5A I2PAK
    系列:MDmesh V
    FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
    FET 功能:标准
    漏源极电压 (Vdss):650V
    电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):8.5A(Tc)
    不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):430 毫欧 @ 4.3A,10V
    不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA
    不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):22nC @ 10V
    不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):900pF @ 100V
    功率 - 最大值:70W
    安装类型:通孔
    封装/外壳:TO-262-3,长引线,I2Pak,TO-262AA
    供应商器件封装:I2PAK

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