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STGW25S120DF3
制造厂商:ST(意法半导体)
类别封装:IGBT - 单路,TO-247-3
技术参数:IGBT 1200V 25A TO247
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技术参数详情:
制造商产品型号: STGW25S120DF3制造厂家名称: STMicroelectronics功能总体简述: IGBT 1200V 25A TO247系列: -IGBT 类型: 沟道和场截止电压 - 集射极击穿(最大值): 1200V电流 - 集电极(Ic)(最大值): 50A脉冲电流 - 集电极 (Icm): 100A不同 Vge,Ic 时的 Vce(on): 2.1V @ 15V,25A功率 - 最大值: 375W开关能量: 830μJ(开),2.37mJ(关)输入类型: 标准栅极电荷: 80nC25°C 时 Td(开/关)值: 31ns/147ns测试条件: 600V,25A,15欧姆,15V反向恢复时间(trr): 265ns封装/外壳: TO-247-3安装类型: 通孔供应商器件封装: TO-247-3现在可以订购STGW25S120DF3,国内库存当天发货,国外库存7-10天内发货。