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STGW15S120DF3
  • 制造厂商:ST(意法半导体)
  • 类别封装:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单,封装:TO-247-3
  • 技术参数:IGBT 1200V 15A TO247
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    技术参数详情:
  • 制造商产品型号:STGW15S120DF3
  • 制造商:ST(意法半导体,STMicroelectronics)
  • 描述:IGBT 1200V 15A TO247
  • 系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
  • 产品系列:-
  • 零件状态:有源
  • IGBT类型:沟槽型场截止
  • 电压-集射极击穿(最大值):1200V
  • 电流-集电极(Ic)(最大值):30A
  • 电流-集电极脉冲(Icm):60A
  • 不同?Vge、Ic时?Vce(on)(最大值):2.05V @ 15V,15A
  • 功率-最大值:259W
  • 开关能量:540μJ(开),1.38mJ(关)
  • 输入类型:标准
  • 栅极电荷:53nC
  • 25°C时Td(开/关)值:23ns/140ns
  • 测试条件:600V,15A,22 欧姆,15V
  • 反向恢复时间(trr):270ns
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型:通孔
  • 封装:TO-247-3
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